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一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法

基本信息

申请号 CN201410114052.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103866380B 公开（公告）日 2016-05-11
申请公布号 CN103866380B 申请公布日 2016-05-11
分类号 C30B25/04(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郝霄鹏;戴元滨;吴拥中;张雷;邵永亮;刘晓燕;田媛 申请（专利权）人 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人 山东大学
地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态 -

摘要

摘要 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：（1）在GaN外延片上制备SiO2图形掩膜；（2）将带有SiO2图形掩膜的GaN外延片在真空炉内高温退火；（3）将退火后的带有SiO2图形掩膜的GaN外延片形成多孔GaN衬底；（4）将多孔GaN衬底HVPE外延生长，得到GaN单晶。该方法通过GaN外延片图形掩膜制备、高温退火、清洗干燥以及HVPE法生长，最后得到了高质量的GaN单晶，并有利于外延生长的GaN单晶自剥离形成自支撑衬底，这种方法制作简单、工艺成熟，能够提高外延生长GaN单晶的质量，有利于实现GaN单晶与异质衬底的自剥离，适合批量生产。