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在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法

基本信息

申请号	CN201410113538.3	申请日	-
公开（公告）号	CN103882526B	公开（公告）日	2016-06-01
申请公布号	CN103882526B	申请公布日	2016-06-01
分类号	C30B29/38(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	郝霄鹏;田媛;邵永亮;吴拥中;张雷;戴元滨;霍勤	申请（专利权）人	山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	山东大学
地址	250100 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态	-

摘要

一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N₂至HVPE反应室内气压升至室内实际气压值；（4）生长一层GaN低温缓冲层；（5）将HVPE反应室内温度升高进行高温退火；（6）将HVPE反应室内温度降到1000-1070℃生长GaN单晶；（7）将HVPE反应室内温度降回到室温；得到自剥离的GaN单晶。本发明通过在SiC衬底上先生长一层低温缓冲层再高温退火，最后高温生长GaN单晶的方法，实现了通过HVPE法直接在SiC衬底上生长GaN，并得到了自剥离的GaN单晶，具有简便、快捷、成本低的特点。