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利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法

基本信息

申请号 CN201410024671.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103741221B 公开（公告）日 2016-04-20
申请公布号 CN103741221B 申请公布日 2016-04-20
分类号 C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郝霄鹏;李先磊;张雷;邵永亮;吴拥中;戴元滨;田媛;霍勤 申请（专利权）人 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人 山东大学
地址 250100 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态 -

摘要

摘要 一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内40℃-120℃干燥1-8小时；（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延(HVPE)系统中进行GaN晶体外延生长。该方法减小了GaN单晶的位错密度，GaN晶体质量有明显的提高，无需采用复杂、昂贵的工艺制备具有特殊结构的氮化镓基板，工艺简单，成本低廉，且生长温度低，适用于批量生产。