一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法

基本信息

申请号	CN201810122199.3	申请日	-
公开（公告）号	CN108315823A	公开（公告）日	2018-07-24
申请公布号	CN108315823A	申请公布日	2018-07-24
分类号	C30B33/00;C30B29/40	分类	基本电气元件;
发明人	郝霄鹏;胡海啸;邵永亮;吴拥中;霍勤;张保国	申请（专利权）人	山东加睿晶欣新材料股份有限公司
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司	代理人	山东大学
地址	250199 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态	-

摘要

一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上外延生长一层GaN薄膜，获得MGA衬底；(2)将得到的MGA衬底进行清洗并烘干；(3)将清洗后的MGA衬底放入恒温室，蓝宝石面朝向激光器的激光出射窗口，且垂直于光束；(4)设定恒温室温度；(5)设定激光器参数，包括激光波长和激光输出能量；(6)设置激光扫描步进，并逐点扫描MGA衬底蓝宝石表面，在蓝宝石与GaN交界处形成孔洞状弱连接结构；(7)将恒温室温度降至室温；得到低应力MGA衬底。本发明在保证表面结构完整性的前提下，有效的降低了衬底的应力，从而减小HVPE生长GaN单晶的残余应力，提高GaN单晶质量，具有简单、快捷、成本低、实用性强的特点。