阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110701742.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113430641A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113430641A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | C30B25/20（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C25D21/12（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;C25D3/22（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 邵永亮;张保国;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 | 申请（专利权）人 | 山东加睿晶欣新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京恒创益佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 付金豹 |
| 地址 | 250353山东省济南市长清区大学路3501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。 |
