高电压PMOS驱动电路
基本信息
申请号 | CN201710240522.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106998200B | 公开(公告)日 | 2021-03-02 |
申请公布号 | CN106998200B | 申请公布日 | 2021-03-02 |
分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 张在涌;赵永瑞;张浩;谭小燕;贾东东 | 申请(专利权)人 | 河北新华北集成电路有限公司 |
代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 王占华 |
地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉开发区昌盛大街21号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高电压PMOS驱动电路,涉及应用于场效应晶体管的驱动电路技术领域。所述驱动电路包括与非门、脉冲信号产生电路、电平移位电路、触发器、缓冲电路以及VS电压产生电路,使能信号输入端EN以及信号输入端口INPUT分别同所述与非门的两个输入端口A、B连接,所述与非门的输出端口O接脉冲信号产生电路的输入端口IN,脉冲信号产生电路的两个输出端口O_1、O_2分别接电平移位电路的两个输入端口IN1、IN2,电平移位电路的两个输出端口O_1、O_2分别接触发器的两个输入端口,触发器的输出端口接缓冲电路的输入端口IN,缓冲电路输出端口OUT接驱动电压输出端口HO。所述驱动电路的结构简单、易于实现、功耗小、开关损耗小、转换效率高、工作电压范围广且不需自举电路。 |
