大尺寸GaN厚膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010223190.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111463325B | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN111463325B | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L33/00;C23C16/01;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 闫其昂;沈蔚;范光华;邢怀勇;杨敏 | 申请（专利权）人 | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 江苏圣典律师事务所 | 代理人 | 王玉国 |
| 地址 | 215021 江苏省苏州市工业园区平胜路67号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了大尺寸GaN厚膜的制备方法，首先在衬底上采用MOCVD外延技术，利用TMG源通过缓冲层外延生长GaN模板层；然后在GaN模板层上采用MOCVD外延技术，切换TMG源粗体，生长GaN应力释放层；采用HVPE方法在具有GaN应力释放层的GaN模板层上生长GaN厚膜层；最后将衬底剥离，获得大尺寸GaN厚膜。本发明通过MOCVD工艺切换TMG源粗体，通过TMG源粗体较高的杂质掺杂，外延生长位错密度较高晶体质量较差的GaN外延层释放应力，为后续厚膜GaN生长提供应力释放，降低大尺寸GaN层生长龟裂，提高大尺寸GaN厚膜质量。 |
