在硅基底镀镍层的方法和太阳能电池镍电极的制备方法

基本信息

申请号 CN202210278052.X 申请日 -
公开(公告)号 CN114703468A 公开(公告)日 2022-07-05
申请公布号 CN114703468A 申请公布日 2022-07-05
分类号 C23C18/36(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 段光亮;陈斌;蒋秀林 申请(专利权)人 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
代理机构 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 -
地址 225009江苏省扬州市经济开发区建华路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种在硅基底镀镍层的方法和太阳能电池镍电极的制备方法,属于太阳能电池技术领域,解决了现有技术中在硅基底镀镍速度慢、效果差,成本高的问题。该方法包括以下步骤:步骤A:在硅基底表面形成金属镍成核中心;步骤B:将步骤A得到的产品放入化学镀镍液中进行化学镀,利用步骤A得到的金属镍成核中心,形成镍金属层。本发明的硅基底镀镍方法速度快、镀层效果好。