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太阳能电池及其制备方法、N型掺杂硅膜的处理方法

基本信息

申请号 CN201911380721.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111354838B 公开（公告）日 2022-07-15
申请公布号 CN111354838B 申请公布日 2022-07-15
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0288（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L29/49（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈孝业;张俊兵;单伟 申请（专利权）人 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 -
地址 225009江苏省扬州市经济开发区建华路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开的实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、N型掺杂硅膜的处理方法以及半导体器件。该太阳能电池的制备方法包括：提供硅片；在第一温度下在所述硅片的第一主表面上形成N型掺杂硅膜，同时在所述硅片的除所述第一主表面的至少部分表面上也绕镀形成所述N型掺杂硅膜；在第二温度下对所述N型掺杂硅膜进行热处理；在进行所述热处理之后，腐蚀去除所述硅片的除所述第一主表面之外的表面上的所述N型掺杂硅膜；利用所述硅片制备得到所述太阳能电池，其中所述第一温度低于第二温度。在本公开的实施例中，通过在腐蚀去除N型掺杂硅膜之前对其进行热处理，能够减少所述N型掺杂硅膜中的非活性掺杂元素含量，缩短腐蚀时间，提升工艺效率。