一种碳包覆多孔硅氧化物材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110363138.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517422A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517422A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M4/131（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/113（2006.01）I;C01B33/021（2006.01）I;C01B32/05（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾华清;李婷;李辉;刘芳;冯苏宁 | 申请（专利权）人 | 江西紫宸科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 330700江西省宜春市奉新县奉新工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳包覆多孔硅氧化物材料及其制备方法和应用。碳包覆多孔硅氧化物材料包括：纳米硅晶粒分散在氧化硅基体中构成的多孔硅氧化物和包覆所述多孔硅氧化物的碳包覆层；所述多孔硅氧化物的通式为S i Ox，0.5 |
