低比表面积的硅碳负极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011523125.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652770A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652770A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李星烁;冯苏宁;李辉;刘芳;卢勇;顾华清;周敏;卢程 | 申请（专利权）人 | 江西紫宸科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 213300 江苏省常州市溧阳市昆仑街道城北大道588号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低比表面积的硅碳负极材料及其制备方法，所述制备方法包括：制备纳米硅浆料；将纳米硅浆料、粘结剂和碳材料进行液相混合，超声搅拌形成均一分散的混合液；对混合液进行喷雾干燥，得到纳米硅/碳材料/粘结剂的复合颗粒；其中，所述复合颗粒中，纳米硅通过所述粘结剂粘接包覆在碳材料颗粒表面；利用热解碳前躯体对所述复合颗粒进行包覆，得到具有包覆层的复合材料；将所述具有包覆层的复合材料在惰性气氛下900℃‑1500℃下保温4‑8小时，使得所述具有包覆层的复合材料碳化；对碳化后的材料过筛后，得到所述硅碳负极材料。 |
