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一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉

基本信息

申请号	CN202011124772.8	申请日	-
公开（公告）号	CN114381798A	公开（公告）日	2022-04-22
申请公布号	CN114381798A	申请公布日	2022-04-22
分类号	C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	杨文武;沈福哲	申请（专利权）人	西安奕斯伟材料技术有限公司
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	许静;张博
地址	710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，该单晶炉泄漏引流装置包括：设置于坩埚的底部的防漏盘，包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿，盘底面和防漏边沿围设形成容置腔；连接在防漏盘的中部的筒状管，筒状管包括中空的内管和外管，内管和外管之间形成空腔，筒状管包括相对的第一端和第二端，第一端连接于盘底面的中部，空腔在第一端开口，形成与防漏盘的容置腔相通的进液口，筒状管上设有排液口；轴承套，坩埚轴穿设于内管内，轴承套连接在内管与坩埚轴之间。本发明提供的单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，能够避免硅溶液侵蚀破坏其他热场部件，提高设备应对溢流风险的能力，减少安全隐患甚至事故的发生，减少损失，提高设备的稼动率。