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一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉

基本信息

申请号 CN202120221631.1 申请日 -
公开（公告）号 CN216473570U 公开（公告）日 2022-05-10
申请公布号 CN216473570U 申请公布日 2022-05-10
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 杨文武;沈福哲;金珍根 申请（专利权）人 西安奕斯伟材料技术有限公司
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供一种测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，所述测量熔硅液面位置的定位销包括：第一杆，所述第一杆包括相对弯折的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均为杆体结构，所述第二部分包括相对的第一端和第二端，所述第一部分连接在所述第二部分的所述第一端；第二杆，所述第二杆为杆体结构，所述第二杆包括相对的第三端和第四端，所述第三端连接在所述第二部分的所述第二端，且所述第二杆与所述第二部分同轴设置；其中所述第二部分和所述第二杆中的至少一个在杆体内部设有不透光物。本公开提供的测量熔硅液面位置的定位销及晶硅熔炉，可提高Melt Gap测量的准确性。