一种埋槽式eFlashbitcell结构制作方法及结构
基本信息
| 申请号 | CN202111224177.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113964129A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113964129A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11568（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚正辉;范文文 | 申请（专利权）人 | 苏州兆方微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡派尔特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 叶昕 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市张家港市高新技术产业开发区沙洲湖科创园A4幢3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种埋槽式eFlash bitcell结构制作方法及结构，属于集成电路制造领域，利用半导体逻辑工艺浅槽隔离层STI，在STI上再挖槽，然后填埋上多晶硅介质，形成存储电荷的介质模块；其上再做栅氧和多晶硅栅，形成了从顶到底部：多晶硅栅，二氧化硅，多晶硅块，二氧化硅层和掺杂的硅通道的复合介质层，也就形成了NON0S结构的eFlash bitcell。本发明的方法与传统MOSFET工艺兼容，只需要增加1道光罩，2道工艺步骤就可实现。相比传统几大eFlash bitccell技术工艺所需要增加4～15光罩具有极大的技术优势，也能带来巨大的成本优势。 |
