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硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法

基本信息

申请号 CN201210189738.8 申请日 -
公开（公告）号 CN102694074A 公开（公告）日 2012-09-26
申请公布号 CN102694074A 申请公布日 2012-09-26
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 冯文宏;刘俊飞 申请（专利权）人 保定晶创硅材料制造有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 吴贵明;余刚
地址 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。该方法包括以下步骤：1）将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡，然后用纯水漂洗；2）将经过混合酸液浸泡的废硅料放入碱液中浸泡，然后用纯水漂洗；3）将废硅料放入盐酸溶液中浸泡，然后用纯水漂洗、烘干，其中，混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。应用本发明的技术方案，既能有效地彻底清除废硅料表面及嵌入较深的杂质，又不会造成硅料损失，由于大多的杂质是通过酸蚀或碱蚀去除的，不需要人工打磨，所以工作效率提高。另外，混合酸液是电池制备过程中废弃的酸液，不仅节约了成本，还为废水处理、减排降耗做出了贡献。