一种制备铁电薄膜的装置
基本信息
| 申请号 | CN201420005653.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203674268U | 公开（公告）日 | 2014-06-25 |
| 申请公布号 | CN203674268U | 申请公布日 | 2014-06-25 |
| 分类号 | H01L41/31(2013.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡铜祥;杨晓伟;刘岸春 | 申请（专利权）人 | 江苏悦达墨特瑞新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 江苏悦达墨特瑞新材料科技有限公司;上海悦达墨特瑞新材料科技有限公司 |
| 地址 | 224007 江苏省盐城市经济开发区东环路69号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种制备纳米结构材料的装置，特别是一种制备铁电薄膜的装置。包括杯型玻璃瓶、单晶硅片、滤纸和透明塑料薄膜，杯型玻璃瓶的底部垫有滤纸，杯型玻璃瓶的开口处用透明塑料薄膜密封，透明塑料薄膜上设有排气孔；单晶硅片置放在杯型玻璃瓶中的滤纸上。本实用新型不需要价格昂贵薄膜沉积装置和精细的微加工设备，通过合适浓度纳米晶分散液的配置和有机溶剂在纳米晶分散液铺展过程中挥发速度的控制，实现铁电纳米晶在Si沉底平面上直接自组装形成薄膜。本实用新型对超高密度铁电存储器平面纳米有序阵列结构的制备具有重要应用价值。 |
