一种氮化硼光学薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210020466.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102560357B | 公开（公告）日 | 2013-09-11 |
| 申请公布号 | CN102560357B | 申请公布日 | 2013-09-11 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴初发 | 申请（专利权）人 | 河北铠朗新型材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 315175 浙江省宁波市鄞州区联丰中路889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种立方氮化硼光学薄膜的制备方法，其是用射频磁控溅射的方法在单晶硅(100)基体上制备立方氮化硼薄膜，通过在烧结六角BN靶材中添加少量的Si，从而能够在立方氮化硼薄膜中或立方氮化硼薄膜与基体之间，形成少量的微晶硅或非晶硅，从而减小立方氮化硼薄膜与单晶硅基体间的性能差异，进而避免了薄膜与基体的爆裂剥离，提高了薄膜与基体的致密性和结合力；并且通过合理的参数控制，制备出均匀且较厚的立方氮化硼光学薄膜。 |
