一种高功率密度的SOP8L封装引线框架
基本信息
| 申请号 | CN202121771184.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215600357U | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN215600357U | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | H01L23/495（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 江苏芯潭微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214142江苏省无锡市新吴区新区菱湖大道228号天安智慧城A1-704 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本文提出一种高功率密度的SOP8L封装引线框架，框架通过在封装内实现的三基岛，承载三个衬底电位不同的芯片，实现了多个低阻的N型功率MOSFET器件与控制芯片的集成，提升了带载能力，提高了封装的功率密度；通过三个基岛在封装外部部分裸露并与外部PCB相连，极大降低了封装的热阻，进一步提高了封装的功率密度；通过第一基岛及其延展部分将信号侧引脚与功率侧引脚隔离开来，极大降低了功率侧引脚对信号侧引脚的耦合干扰。 |
