大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202010517759.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113151895A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113151895A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;程章勇;李天运;韦玉平;李百泉;靳丽婕 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种大直径高纯半绝缘碳化硅生长工艺方法，步骤为：（1）生长备料准备，完成籽晶、原料、热场的装配；（2）开始工艺生长，完成除杂、升温、生长、降温、停炉工艺。本发明方法通过氢气的引入、坩埚内结构设计、优化的籽晶选取、加热结构组合设计以及优化的工艺参数等技术手段，使获得高纯碳化硅单晶易操作，实现技术指标高、原料利用率高，成本低的半绝缘单晶制备。 |
