一种大尺寸碳化硅晶体生长用籽晶
基本信息
| 申请号 | CN202010517681.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113122922A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113122922A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 靳丽婕;张云伟;何丽娟;陈颖超;杨丽雯;李天运;程章勇;李百泉;韦玉平;刘广政 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低缺陷位错密度的大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶。其特征为：1、大尺寸碳化硅单晶生长用籽晶在生长面（C面）上被一层同质外延层覆盖；2、该籽晶在C面过渡外延层前需要双面抛光、C面CMP。 |
