一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710768045.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107634104B | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN107634104B | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张敬伟;袁俊;李百泉;杨永江;孙安信;耿伟 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种金属埋层高散热GaN二极管结构及其制备方法，该GaN二极管结构的GaN外延层与衬底之间设置有金属埋层，所述金属埋层为三层金属导热层。本申请利用金属导热率高特点，结合Bonding技术在衬底和GaN之间制作一层具有高导热性质的金属，解决了GaN器件的散热问题。 |
