符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010502357.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113174631A | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN113174631A | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | C30B23/00;C30B29/36 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈颖超;张云伟;何丽娟;程章勇;靳丽婕;李天运;杨丽雯;李百泉;韦玉平 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉一种符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，针对产业化大规模进行六英寸碳化硅晶体生长过程中极易产生的各种缺陷：如晶型突变，位错增加、晶体有效产出低（厚度不足）等特性，提出新的适合产业化大规模晶体生长工艺方法，在同等的生长周期和等同的投料量的前提下不但保证晶体的有效产出且能有效保证晶体的质量合格。主要包括：一次升温、一次降压，二次升温及二次降压、三次升温、热场移动、恒温升压、一次降温、二次降温、末次抽换气等步骤。通过本工艺可实现单炉次产出六英寸碳化硅晶体厚度≥25mm，并且有效抑制异晶型产生和位错的持续增加。 |
