一种维持大尺寸碳化硅晶型稳定的装置及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010517206.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113122914A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113122914A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨丽雯;何丽娟;靳丽婕;程章勇;韦玉平;李天运;陈颖超;李百泉;张云伟;王丽君 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种稳定大尺寸碳化硅晶型稳定的生长方法。包括（1）生长初期籽晶近生长界面通入保护气体，均匀（0001）小面及小面附近区域的料源饱和度。从而达到避免小面及小面附近台阶宽化的目的。该方法有助于减少异晶型在宽台阶上产生2D成核的可能性，从而提高晶体的稳定性。（2）生长后期在小面附近增加气流的基础上增加籽晶轴向提拉以及旋转，从而达到控制界面形状稳定和维持饱和度均一的两个目标，使得整个生长过程中晶型稳定。该发明的碳化硅单晶生长装置能应用于4‑6英寸及不同切割偏角的籽晶，甚至更大尺寸的晶体生长，大幅度稳定了小面及小面附近晶型的稳定性，得到了高质量的碳化硅单晶晶体。 |
