一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010502356.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113122921A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113122921A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;B32B9/00（2006.01）I;B32B9/04（2006.01）I;B32B15/00（2006.01）I;B32B3/08（2006.01）I;B32B38/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨丽雯;程章勇;何丽娟;张云伟;陈颖超;李天运;韦玉平;李百泉;靳丽婕;王丽君 | 申请（专利权）人 | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种生长低碳包裹物大尺寸高纯单晶的装置及方法，在坩埚内壁使用三层隔离层，与坩埚壁接触层为铼（Re）金属，该层可避免保护层碳化失效。中间层为过渡元素（Ta,Zr,Ti,Nb,Os,W,Mo,Y）碳化物的一种，该层可吸附多余碳（C）源。与料源接触的最外层用钇（Y）金属，可除去氮原子及后续产生的过量的C。该生长方法在低温阶段慢速升温并反复抽真空，随即升压快速升温到生长温度，在生长恒温上半段控制氩气流量及压力。通过降低埚位，使高温位从料源底部移到料源上部。下半段生长前，升压降温反复抽真空，生长下半段维持坩埚位置不变及小梯度，直到晶体生长完成。该方法可有效减少高纯晶体中C包裹物及N掺杂的浓度。 |
