一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210470452.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102980692B | 公开（公告）日 | 2015-08-19 |
| 申请公布号 | CN102980692B | 申请公布日 | 2015-08-19 |
| 分类号 | G01L1/16(2006.01)I;G01L9/08(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 袁晓斌;陈龙;张妮妮;刘秀娥;袁展荣 | 申请（专利权）人 | 西安微纳传感器研究所有限公司 |
| 代理机构 | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 西安微纳传感器研究所有限公司 |
| 地址 | 710054 陕西省西安市雁塔区雁翔路99号交大科技园B区37号维纳大厦二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法，该传感器包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起；芯体包括圆柱状的壳体，在壳体的上端设置有水平凹槽，水平凹槽内设有SOI芯片；壳体内设置有引线电极，SOI芯片的压焊点电极通过金丝与壳体的引线电极连接；壳体的引线电极引出为内引线，该内引线通过夹具连接至外引线。该压力传感器将扩散硅PN结隔离工艺设计方案改进为绝缘层隔离SOI工艺方案。使其温度可达300℃，解决了PN结隔离因高温下漏电流过大而使传感器无法工作问题。 |
