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压阻式微熔高温压力传感器及其制造方法

基本信息

申请号	CN201410692661.5	申请日	-
公开（公告）号	CN104390739A	公开（公告）日	2015-03-04
申请公布号	CN104390739A	申请公布日	2015-03-04
分类号	G01L9/06(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	袁晓斌;沈绍群;刘秀娥;来萌;南瑞旗	申请（专利权）人	西安微纳传感器研究所有限公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	西安微纳传感器研究所有限公司
地址	710054 陕西省西安市雁翔路99号交大科技园B区37号维纳大厦
法律状态	-

摘要

本发明属于压阻式压力传感器制造工艺技术领域，具体涉及一种压阻式微熔高温压力传感器及其制造方法。为了提供一种能够在超过200℃高温下有效工作的传感器，本发明在弹性膜平面敏感区域涂覆玻璃浆料，并将SOI芯片粘贴在玻璃浆料上；将粘贴好SOI芯片的壳体组件放入高温烧结炉内，预热后升温微熔，微溶后随炉自然冷却，取出SOI芯片的壳体组件；将陶瓷厚膜电路板通过螺钉固定在SOI芯片外，然后将SOI芯片电极和陶瓷厚膜电路板电极连接，将陶瓷厚膜电路板相对应的电极点焊，引出外接镀金铜箔引线，然后将镀金铜箔引线和耐火高温线用可伐管夹紧方式连接在一起，SOI芯片工艺制作的惠思顿电桥是绝缘层隔离，工作温度可提高到600℃以上。