一种MEMS加速度传感器及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610312471.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106018879B | 公开（公告）日 | 2019-03-22 |
| 申请公布号 | CN106018879B | 申请公布日 | 2019-03-22 |
| 分类号 | G01P15/08（2006.01）I; B81B3/00（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 周志健; 朱二辉; 陈磊; 杨力建; 邝国华 | 申请（专利权）人 | 上海芯赫科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 广东合微集成电路技术有限公司 |
| 地址 | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑6幢办公501 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及基于MEMS加工工艺制成的MEMS加速度传感器，包括硅衬底、硅衬底中的第一预定空腔及第一预定空腔上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其第二预定空腔上方的悬空硅膜、半导体掺杂电阻，半导体掺杂与导电线电连接；于第一预定空腔上方形成第一连接件、第一释放槽，于第二预定空腔上方形成限位挡板、第二释放槽、第二连接件，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，第一连接件、第二连接件一端与硅衬底连接，另一端和第一预定空腔上方的悬空硅膜连接，通过悬空释放结构中的限位挡板实现精确的限位过载保护目的，结构简单，且易于加工。 |
