一种SGT-MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110653721.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471078A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471078A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高学;代萌 | 申请（专利权）人 | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京智托宝知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘奕彤 |
| 地址 | 200135上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号904室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种SGT‑MOSFET及其制造方法，在基片外延层上淀积掩蔽层，光刻深沟槽；掩蔽层去除，生长场氧化层，淀积屏蔽栅多晶硅；屏蔽栅多晶硅回刻，光刻浅沟槽；场氧化层光刻，形成栅沟槽，生长栅氧化层，淀积栅极多晶硅以及回刻，进行后续制作。本发明采用新的制造方法连出屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅接触孔。本发明采用的制造方法未涉及屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅的光刻工艺，屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅经刻蚀后与硅衬底表面基本齐平；因此消除了多晶硅的高度差，同时很好地在屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅上打孔而不会产生屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接的风险。 |
