一种沟槽肖特基二极管结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610273653.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105762200B | 公开（公告）日 | 2019-04-09 |
| 申请公布号 | CN105762200B | 申请公布日 | 2019-04-09 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I; H01L29/41（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高盼盼; 代萌 | 申请（专利权）人 | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 王瑞 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区盛夏路560号905B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管结构，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，本发明还公开了沟槽肖特基二极管结构的制备方法。本发明的沟槽肖特基二极管结构由于阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，使得肖特基二极管芯片可以适用于更多的封装形式。 |
