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一种MOSFET终端结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011002666.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112242446A 公开（公告）日 2021-01-19
申请公布号 CN112242446A 申请公布日 2021-01-19
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 代萌;李承杰;顾嘉庆 申请（专利权）人 上海格瑞宝电子有限公司
代理机构 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 代理人 林怡妏
地址 200135上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路560号904室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种MOSFET终端结构及其制备方法，包括终端分压区，所述终端分压区内设有若干的沟槽，所述终端分压区的沟槽中靠近元胞区由内向外所所述沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大。与一般沟槽MOS终端结构若干个分压沟槽等深度等间距排列相比，本发明对终端分压沟槽间距进行调整，优化电场分布，提升器件耐压。终端沟槽中靠近元胞区由内向外前几个沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大，将原本外部截止环沟槽的大电场，转移至内部分压沟槽处，从而提升整个器件的击穿电压。从仿真结果来看，对于100V产品，击穿电压能得到20％左右的提升。