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一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管

基本信息

申请号 CN202121309163.X 申请日 -
公开（公告）号 CN215266311U 公开（公告）日 2021-12-21
申请公布号 CN215266311U 申请公布日 2021-12-21
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 高学;代萌 申请（专利权）人 上海格瑞宝电子有限公司
代理机构 北京智托宝知识产权代理有限公司 代理人 刘奕彤
地址 200135上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号904室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种新型左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，外延圆片上光刻有深沟槽，深沟槽之间设置有浅沟槽，深沟槽上下两端生长场氧化层；深沟槽中间位置淀积屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅上端光刻有接触孔，屏蔽栅多晶硅左右两端淀积栅极多晶硅。外延圆片设置有低电阻率基片和特定电阻率外延层，场氧化层位于深沟槽侧壁、底部以及外延圆片表面。本实用新型为一种新的左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，可消除多晶硅的高度差，同时很好地在屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅上打孔而不会产生屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接的风险。本实用新型可以连出屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅接触孔。