深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910591988.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110223959A | 公开（公告）日 | 2019-09-10 |
| 申请公布号 | CN110223959A | 申请公布日 | 2019-09-10 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I; H01L21/8236（2006.01）I; H01L27/088（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 代萌; 李承杰; 顾嘉庆 | 申请（专利权）人 | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南霆 |
| 地址 | 200131 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路560号904室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管包括垂直相交的深沟槽和浅沟槽，深沟槽和浅沟槽侧壁和底部均生长有一层氧化层，内部填充有多晶硅。本发明提出了一种立体的三维结构来实现高击穿电压，低开启电压的特性。包括垂直相交的深浅沟槽，整个沟槽制备过程无需增加光刻板以及多次淀积、刻蚀去实现沟槽内部复杂的构造，制备流程更简洁，工艺更易控制。 |
