多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910589417.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110197791A | 公开（公告）日 | 2019-09-03 |
| 申请公布号 | CN110197791A | 申请公布日 | 2019-09-03 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I; H01L29/04（2006.01）I; H01L29/08（2006.01）I; H01L29/16（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 代萌; 李承杰; 顾嘉庆 | 申请（专利权）人 | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南霆 |
| 地址 | 200131 上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路560号904室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法，MOSFET结构，包括基片和外延层，且外延层上淀积有重掺杂多晶硅层形成源区，外延层内设有沟槽，沟槽内部和侧壁上淀积有栅氧化物层，且外延层内部的栅氧化层的厚度小于源区内的栅氧化物层的厚度。本发明的优点是：比传统MOSFET整个工艺流程更为简单，通过淀积多晶硅形成的源区宽度更易控制，增强了的源区的可靠性，且不会影响沟道长度。 |
