一种沟槽金属－氧化物半导体
基本信息
| 申请号 | CN201720377915.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206697482U | 公开（公告）日 | 2017-12-01 |
| 申请公布号 | CN206697482U | 申请公布日 | 2017-12-01 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高盼盼;代萌;李承杰 | 申请（专利权）人 | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 代理机构 | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 王瑞 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区盛夏路560号905B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽金属－氧化物半导体,包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。本实用新型的优点是：沟槽的形成只通过一步刻蚀完成，只刻蚀一次外延层，光刻时通过调节光源能量，采用光刻胶半曝光的方法在沟槽内生成厚度不同的氧化层，简化了传统制备方法中采用复合阻挡层然后通过两次刻蚀形成沟槽的方法，简化了工艺步骤，提高了制备效率。 |
