一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110641139.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113365431A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113365431A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H05K3/18（2006.01）I;H05K3/02（2006.01）I;H05K3/42（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 刘文敏;李艳国;李飞;陈钟俊 | 申请（专利权）人 | 泰和电路科技（惠州）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张德兴 |
| 地址 | 516000广东省惠州市仲恺高新技术开发区平南工业区48号小区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善POFV工艺阻抗均匀性的方法，该方法包括如下步骤：前流程→一次钻孔→沉铜→一铜→镀孔干膜→镀孔→退膜→树脂塞孔→一次陶瓷磨板→减薄铜→二次陶瓷磨板→二次钻孔→沉铜→二次VCP→电镀后磨板→干膜→蚀刻→后工序。本发明的有益效果：改善POFV工艺因铜厚不均造成蚀刻不净、阻抗控制精度问题。 |
