一种量子微纳结构光电子芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110501408.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113241395A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113241395A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00;H01L33/32;H01S5/34;H01S5/343;B82Y40/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓波;沈洋;王楠 | 申请（专利权）人 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 | 代理人 | 范琳 |
| 地址 | 710065 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层C15室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开的属于半导体电子信息领域技术领域，具体为一种量子微纳结构光电子芯片及其制造方法，包括基底，所述基底的上方设置有发光区，所述发光区的上方设置有量子微纳结构区，所述量子微纳结构区的上方设置有覆盖区，所述发光区从下到上依次包括AlN层、AlGaN层、SL底层和光亮层，所述量子微纳结构区包括组合包层，所述组合包层的上下侧均设置有量子限制包层，下侧所述量子限制包层的下侧设置有限制层，通过采用量子三维微纳结构和特殊设计的限制层和量子限制包层，然后利用先进的电子束直写技术结合特殊外延生长结构，能够极大的优化和提升光电子芯片发光区的光子复合效率，进而提升电光效率和发光功率。 |
