一种大功率垂直结构紫外LED芯片的设计和制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110162460.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112786752A | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN112786752A | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓波 | 申请（专利权）人 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙瑞峰 |
| 地址 | 710065 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层C15室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种大功率垂直结构紫外LED芯片的设计和制作方法，该大功率垂直结构紫外LED芯片的设计如下：采用蓝宝石衬底作为生长基底，进行异质外延生长，运用MOCVD技术来完成整个外延过程，蓝宝石衬底采用图像化衬底，即PSS衬底,本衬底采用特殊设计，为顶角120°三棱锥结构，可以极大程度的提升光的发射效率，以及特殊的表面纳米压印和双层图形化微纳处理，极大的提升紫外光LED的辐射功率和出光效率，改善电流扩散效率和芯片的散热能力，从而可以提升芯片的制作尺寸，有效的改善了紫光LED器件的可靠性，能够大规模适合工业级应用。 |
