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一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法

基本信息

申请号 CN202110347187.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113140960A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113140960A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01S5/183;H01S5/343 分类 基本电气元件;
发明人 王晓波 申请（专利权）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理机构 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） 代理人 王翠
地址 710065 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层C15室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种基于化合物半导体材料紫外VCSEL芯片及制作方法，包括基底，所述基底的上方设置有外延层，所述外延层的上方设置有发光层，所述外延层包括低温AlN层，所述低温AlN层的上方设置有高温AlN层，所述高温AlN层的上方设置有含硅层，所述含硅层的上方设置有重硅层，所述发光层包括掺硅层，所述掺硅层的上方设置有超晶格层，本发明设计的芯片通过外延和芯片生长制作技术进行制造，能够得到波长在200～280nm的UVC波段紫外光VCSEL，突破和克服了200nm以上的UVC波段VCSEL芯片制作难题和发光效率难题。