一种大功率紫外LED的外延设计和生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110163226.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112909134A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112909134A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓波 | 申请（专利权）人 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙瑞峰 |
| 地址 | 710065 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层C15室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域，该大功率紫外LED的外延设计具体如下：采用蓝宝石或者硅衬底作为生长基底，进行异质外延生长，运用MOCVD技术来完成整个外延过程，在蓝宝石或者硅沉底上生长一层低温AlN层，继续生长一层高温AlN层，接着生长一层低温BAlN，再生长一层高温BAlN层，然后再生长几个周期BAlN/BAlGaN超晶格结构，继续生长一层n形掺杂的AlGaN,接着生长一层AlGaN/BAlN量子阱量子阱结构有源区,接着生长一层p型BAlGaN层，有效提高了发光效率、降低了制备成本和难度，提高了成品率。 |
