一种紫外LED外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110523507.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140657A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140657A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晓波 | 申请（专利权）人 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔自京 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区科技三路融城云谷B座12楼1206E | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种紫外LED外延结构，包括衬底、及从下至上依次位于衬底上的低温AlN层、高温AlN层、本征AlGaN层、掺杂硅烷的n型AlGaN层、掺杂硅烷的n掺杂AlGaN/AlN超晶格层、量子阱区‑1、超晶格SL区‑1、量子阱区‑2、超晶格SL区‑2、量子阱区‑3、超晶格SL区‑3、量子阱区‑n、超晶格SL区‑n、p型AlGaN层和掺杂镁的p++型BAlGaN层，通过本发明的设计和生长方法，能够满足现实应用中对于各种紫外波段需求的集成统一，很大程度简化了后续封装步骤，并且提高了芯片的整体可靠性，实现了一芯多用的功能。 |
