一种提高发光效率的LED外延片制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610277446.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105895751B | 公开（公告）日 | 2018-09-25 |
| 申请公布号 | CN105895751B | 申请公布日 | 2018-09-25 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何苗;黄波;陈雪芳;刘翠;郑树文;李述体 | 申请（专利权）人 | 嘉兴裕商企业管理有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 华南师范大学;陕西专壹知识产权运营有限公司;厦门恒宇星光电科技有限公司;嘉兴晶晨环保科技有限公司 |
| 地址 | 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高发光效率的LED外延片制备方法，包括：在蓝宝石衬底上外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长n型氮化镓层；在n型氮化镓层上外延生长多量子阱层；在多量子阱层上从下至上依次外延生长至少两层隔离层；其中，所述至少两层隔离层的生长温度按所述至少两层隔离层从先到后的外延生长顺序逐渐增大；在最后外延生长的隔离层上外延生长p型氮化镓层。通过使用本发明的LED外延片制备方法不仅能大大提高LED的发光效率，而且还能达到工艺步骤简单、成本低的目的。本发明作为一种提高发光效率的LED外延片制备方法可广泛地应用于LED领域中。 |
