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一种断电记忆电路

基本信息

申请号 CN202120532302.9 申请日 -
公开（公告）号 CN214675106U 公开（公告）日 2021-11-09
申请公布号 CN214675106U 申请公布日 2021-11-09
分类号 H03K17/22（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 邢超;杨恩飞;刘万斌 申请（专利权）人 山东飞越电子科技有限公司
代理机构 济南泉城专利商标事务所 代理人 支文彬
地址 250101山东省济南市高新开发区飞跃大道2016号创新工场南邻
法律状态 -

摘要

摘要 一种断电记忆电路，当直流电源输入端断电后，因为有电容Ⅶ的作用，这时电容Ⅶ开始向外放电，电量不断下降，而稳压二极管的两端电压是一个稳定的电压值，电容Ⅶ剩余的某个电压值减去稳压二极管两端的电压值，电阻Ⅵ两端的电压值不足以使三极管导通，三极管就由导通状态转换为截止状态，这时电容Ⅲ开始释放存储的电能，二极管Ⅰ的负极电势被3.3 V上拉为高电平，3.3V开始给MCU和EEPROM供电，将MCU中的数据及时存进EEPROM中。由于EEPROM是一种电可擦可编程只读存储器，因此数据可长期保存在内部，不会丢失。此电路没有备用电池组维护成本高以及包括铅在内的重金属和磁记忆装置可靠性差的缺点。