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一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉

基本信息

申请号 CN202010621640.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111763985B 公开（公告）日 2021-10-19
申请公布号 CN111763985B 申请公布日 2021-10-19
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 薛忠营;魏涛;魏星;栗展;刘赟;李名浩 申请（专利权）人 上海新昇半导体科技有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 郝传鑫;贾允
地址 200050上海市长宁区长宁路865号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。