一种半导体晶体生长方法和装置

基本信息

申请号 CN201910357352.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111850681B 公开(公告)日 2021-09-07
申请公布号 CN111850681B 申请公布日 2021-09-07
分类号 C30B15/20(2006.01)I;C30B15/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 沈伟民;王刚;黄瀚艺;刘赟 申请(专利权)人 上海新昇半导体科技有限公司
代理机构 北京市磐华律师事务所 代理人 董巍;高伟
地址 201306上海市浦东新区临港新城云水路1000号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括:获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0;获取所述石墨坩埚的当前生产批次N,所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数;根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料,其中,所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N),所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整,以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时,使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明,保证了拉晶过程中各参数的稳定,提升了拉晶的速度和拉晶的质量。