化学机械抛光方法以及化学抛光系统
基本信息
| 申请号 | CN201910182532.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110193775B | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN110193775B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | B24B37/005;B24B37/013;B24B37/08;B24B37/28;B24B37/34;B24B55/06;B24B49/02;H01L21/66;H01L21/67 | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 吴恬辛 | 申请（专利权）人 | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘翔 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械抛光方法及化学机械抛光装置，充分考虑了化学机械抛光装置上的晶片载体随着长时间使用而导致的厚度变化对半导体晶片的抛光效果的影响，在设定用于半导体晶片抛光的工艺参数之前，先测量晶片载体的厚度，并计算出测得的晶片载体的厚度与待抛光的半导体晶片在完成抛光后的目标厚度之间的差值(即晶片载体相对抛光后的半导体晶片的突出量或者抛光后的半导体晶片相对晶片载体的突出量)，然后根据该差值设定用于半导体晶片抛光的工艺参数，当采用这组与该差值相关的半导体晶片抛光的工艺参数对该半导体晶片进行抛光后，该半导体晶片最终抛光后的抛光面的平整度会增加，因而提高了抛光效果。 |
