一种检测半导体材料中缺陷的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110407842.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394126A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394126A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛忠营;刘赟;魏星 | 申请（专利权）人 | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢栒 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提高气相刻蚀方法的探测精度。 |
