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半导体激光器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210052411.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114400506A 公开（公告）日 2022-04-26
申请公布号 CN114400506A 申请公布日 2022-04-26
分类号 H01S5/343（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/30（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李俣;杭青岭;宋云鹏 申请（专利权）人 光为科技（广州）有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 王志
地址 510000广东省广州市黄埔区科丰路31号G7栋301房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种半导体激光器，包括有源区，所述有源区为包含铟镓砷氮铋材料的多量子阱结构，所述有源区的上方设置有相移结台，所述相移结台的厚度为所述λ为所述半导体激光器的波长，所述n为相移结台的折射率，所述相移结台的面积小于有源区的面积；所述相移结台的周侧设有阻挡层，所述阻挡层用于阻挡空穴穿过。本发明半导体激光器由于铋元素的激活作用，在量子阱内确保氮元素以二维平面方式生长，从而延长激射波长至1550nm以上。另外，本发明半导体激光器通过设置相移结台，在相移结台周侧设有阻挡层，可以有效阻挡空穴通过阻挡层，使得空穴仅从相移结台穿过，大大减小了微分电阻，有效提高了能量转换效率。