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一种制备高品质碳化硅晶体生长装置

基本信息

申请号 CN202120505423.4 申请日 -
公开（公告）号 CN214830782U 公开（公告）日 2021-11-23
申请公布号 CN214830782U 申请公布日 2021-11-23
分类号 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高冰;李俊;叶宏亮 申请（专利权）人 浙江晶越半导体有限公司
代理机构 杭州六方于义专利代理事务所（普通合伙） 代理人 施少锋
地址 312451浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种制备高品质碳化硅晶体生长装置，包括用于碳化硅晶体生长的坩埚，坩埚的上部围有上加热结构，坩埚的下部围有下加热结构，上加热结构包括上部感应线圈，下加热结构包括下部感应线圈，上感应线圈，上部感应线圈的线圈直径和匝数均大于下部感应线圈的线圈直径和匝数。为了满足大尺寸晶体生长工艺温度要求，通过使用上下2种不同规格线圈来控制长晶温度，使坩埚上下具有均匀的横向温度及纵向温度梯度，从而提高碳化硅晶体生长的稳定性。