一种碳化硅研磨的装置和方法
基本信息
| 申请号 | CN202111448410.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114012597A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114012597A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | B24B37/10（2012.01）I;B24B37/34（2012.01）I;B24B55/03（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;B08B3/02（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 王越波;高冰 | 申请（专利权）人 | 浙江晶越半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 312400浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及化学机械研磨技术领域，特别涉及一种碳化硅研磨的装置和方法，其中研磨装置，包括：工作台；旋转台，设置在工作台上；研磨盘，设置在旋转台上；吸附盘，设置在研磨盘上；第一清洗降温装置，设置在工作台上，用来对研磨盘和真空吸附盘接触部分的研磨区域进行清洗和冷却；第一清洗干燥装置，可以活动的防止在工作台上，以对研磨后的晶片背面进行清洗干燥。本发明的第一清洗装置有效的增强了研磨区域的清洗和冷却效果同时减少了水资源的浪费，而且实现了在碳化硅晶片研磨的同时进行清洗。 |
