一种高纯半绝缘碳化硅粉料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110257948.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113120909B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN113120909B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | C01B32/984（2017.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 高冰;李俊;叶宏亮 | 申请（专利权）人 | 浙江晶越半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州六方于义专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 施少锋 |
| 地址 | 312451浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯半绝缘碳化硅粉料的制备方法，将高纯硅粉及高纯碳粉放入热场内进行两个阶段的高温反应，热场内设置了一种可拆卸的卡槽式石墨内置薄坩埚，为了提高石墨坩埚使用寿命以及方便于拆卸。本发明工序简单，制备出的碳化硅粉料纯度高，且颗粒度大小可控。 |
